Новикова Мария Сергеевна

студент, ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ»,

РФ, г. Смоленск

Статьи на сайте sibac.info

• ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ КЛЮЧА IRF540
• МОДЕЛИРОВАНИЕ PSPICE МОДЕЛИ ТРАНЗИСТОРА IRF540
• СРАВНЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОМПОНЕНТА И PSPISE МОДЕЛИ ТРАНЗИСТОРА IRF540
• ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
• ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ КАЧЕСТВО И ЭФФЕКТЫ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ. ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ И ЕГО ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ
• СТРУКТУРА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
• РАБОТА ТРАНЗИСТОРА В КЛЮЧЕВОМ РЕЖИМЕ. ПРОЦЕССЫ, ПРОИСХОДЯЩИЕ ВО ВРЕМЯ ВКЛЮЧЕНИЯ
• АНАЛИЗ МОДЕЛИ МОП-ТРАНЗИСТОРА MOSFET) (NMOS, N-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP
• АНАЛИЗ МОДЕЛИ МОП-ТРАНЗИСТОРА (MOSFET) (PMOS, P-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP
• АНАЛИЗ МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (JFET) (NJFET, N-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP
• АНАЛИЗ МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (JFET) (NJFET, P-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP
• АНАЛИЗ МОДЕЛИ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (GaAsFET), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP
• СРАВНЕНИЕ РАССЕВАЕМОЙ МОЩНОСТИ НА PSPICE МОДЕЛИ МДП-ТРАНЗИСТОРА И НА КЛЮЧЕВОЙ МОДЕЛИ