АНАЛИЗ МОДЕЛИ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (GaAsFET), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP

Данные транзисторы представляют такой тип, в которых в качестве проводника используется соединение арсенида-галлия. GaAsFET – транзисторы с каналом n-типа. Он, как и транзисторы MOSFET, имеет три уровня работы. Но в данной модели они представлены немного по-другому.  Первая представляет модель Куртиса (Curtice), вторая Рэйтеона (Raytheon), а третья TriQuint модель. Модель Куртиса необходимо использовать только в статическом режиме, поскольку только в таком режиме она показывает правильные результаты. Другие две модели могут использоваться и в статическом и в динамическом режиме, так как работают корректно в обоих режимах.

Расшифровка некоторых параметров:

RD – сопротивление стока (0 Ом);

RS – сопротивление истока (0 Ом);

VTO – барьерный потенциал перехода Шоттки или пороговое напряжение (-2,5) В;

IS – ток насыщения p-n-перехода затвор-канала (10 фА);

ALPHA – коэффициент для напряжение насыщения тока стока (2);

На рисунке 1 показаны все параметры GaAsFET.

Рисунок 1. Параметры транзистора GaAsFET первого уровня

Рисунок 2. Модель транзистора GaAsFET

На рисунке 2 показана модель транзистора GaAsFET.

Список литературы:

1. Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами. // valvolodin.narod.ru [электронный ресурс] – Режим доступа. – URL: http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf (дата обращения: 11.04.2019).
2. Полуянович Н.К. Силовая электроника. – Таганрог: Таганрогский государственный радиотехнический университет, 2005. – 204 с.
3. Амелина М.А. Компьютерный анализ и синтез электронных устройств (часть 1). Конспект курса лекций. — Смоленск: Смоленский филиал МЭИ, 2005. – 120 с.