СРАВНЕНИЕ РАССЕВАЕМОЙ МОЩНОСТИ НА PSPICE МОДЕЛИ МДП-ТРАНЗИСТОРА И НА КЛЮЧЕВОЙ МОДЕЛИ

Рисунок 1. Ключевая модель с активной нагрузкой

Рисунок 2. Показатели мощности и энергии схемы ключа с активной нагрузкой

Рисунок 3. Зависимость рассеиваемой мощности на ключе от сопротивления в цепи затвора

Рисунок 4. Pspice модель с активной нагрузкой

Рисунок 5. Показатели мощности и энергии схемы Pspice модели

Рисунок 6. Зависимость рассеиваемой мощности на ключе от сопротивления в цепи затвора

Мощность потерь на ключе зависит от значения сопротивления в цепи затвора: когда сопротивление минимально, а скорость переключения транзистора максимальна, минимальна и мощность потерь. В данном случае, схема ключа с активно нагрузкой на МДП-транзисторе является лучшей, т.к. обладает наименьшими потерями мощности во время переключения транзистора.

Список литературы:

1. Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами. // valvolodin.narod.ru [электронный ресурс] – Режим доступа. – URL: http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf (дата обращения: 11.04.2019).
2. Полуянович Н.К. Силовая электроника. – Таганрог: Таганрогский государственный радиотехнический университет, 2005. – 204 с.
3. Амелин С.А. Схемотехника. Конспект курса лекций. Смоленск, 2018. 150 с. [Электронный ресурс]. URL: https://drive.google.com/file/d/0B3u4J7t3fyZ2VkxmSHBKUWtuLUE/edit (дата обращения: 11.04.2019).