АНАЛИЗ МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (JFET) (NJFET, N-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP

Модели транзисторы JFET являются полевыми транзисторами, которые имеют управляющий p-n-переход и работают на постоянном токе. Данные транзисторы описываются моделью Шихмана-Ходжеса. Принципом работы таких транзисторов является установка связи выходного тока стока с напряжением затвор-исток и сток-исток. На рисунке 1 представлены подробные характеристики данного NJFET транзистора.

Рисунок 1. Параметры транзистора JFET (N-канальный)

Расшифровка некоторых параметров:

RD – сопротивление стока (0 Ом);

RS – сопротивление истока (10 мкОм);

VTO – пороговое напряжение (-3 В);

IS – ток насыщения p-n-перехода затвор-канала (10 фА).

Рисунок 2. Модель представленного МОП-транзистора с управляемым p-n-переходом

На рисунке 2 представлена модель МОП-транзистора с управляемым p-n-переходом.

Список литературы:

1. Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами. // valvolodin.narod.ru [электронный ресурс] – Режим лоступа. – URL: http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf (дата обращения: 11.04.2019).
2. Полуянович Н.К. Силовая электроника. – Таганрог: Таганрогский государственный радиотехнический университет, 2005. – 204 с.
3. Амелина М.А. Компьютерный анализ и синтез электронных устройств (часть 1). Конспект курса лекций. — Смоленск: Смоленский филиал МЭИ, 2005. – 120 с.