Телефон: 8-800-350-22-65
WhatsApp: 8-800-350-22-65
Telegram: sibac
Прием заявок круглосуточно
График работы офиса: с 9.00 до 18.00 Нск (5.00 - 14.00 Мск)

Статья опубликована в рамках: Научного журнала «Студенческий» № 26(70)

Рубрика журнала: Технические науки

Секция: Радиотехника, Электроника

Скачать книгу(-и): скачать журнал часть 1, скачать журнал часть 2, скачать журнал часть 3

Библиографическое описание:
Новикова М.С. АНАЛИЗ МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (JFET) (NJFET, N-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP // Студенческий: электрон. научн. журн. 2019. № 26(70). URL: https://sibac.info/journal/student/70/150139 (дата обращения: 28.03.2024).

АНАЛИЗ МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (JFET) (NJFET, N-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP

Новикова Мария Сергеевна

студент, ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ»,

РФ, г. Смоленск

Модели транзисторы JFET являются полевыми транзисторами, которые имеют управляющий p-n-переход и работают на постоянном токе. Данные транзисторы описываются моделью Шихмана-Ходжеса. Принципом работы таких транзисторов является установка связи выходного тока стока с напряжением затвор-исток и сток-исток. На рисунке 1 представлены подробные характеристики данного NJFET транзистора.

 

Рисунок 1. Параметры транзистора JFET (N-канальный)

 

Расшифровка некоторых параметров:

RD – сопротивление стока (0 Ом);

RS – сопротивление истока (10 мкОм);

VTO – пороговое напряжение (-3 В);

IS – ток насыщения p-n-перехода затвор-канала (10 фА).

 

Рисунок 2. Модель представленного МОП-транзистора с управляемым p-n-переходом

 

На рисунке 2 представлена модель МОП-транзистора с управляемым p-n-переходом.

 

Список литературы:

  1. Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами. // valvolodin.narod.ru [электронный ресурс] – Режим лоступа. – URL: http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf (дата обращения: 11.04.2019).
  2. Полуянович Н.К. Силовая электроника. – Таганрог: Таганрогский государственный радиотехнический университет, 2005. – 204 с.
  3. Амелина М.А. Компьютерный анализ и синтез электронных устройств (часть 1). Конспект курса лекций. — Смоленск: Смоленский филиал МЭИ, 2005. – 120 с.

Оставить комментарий

Форма обратной связи о взаимодействии с сайтом
CAPTCHA
Этот вопрос задается для того, чтобы выяснить, являетесь ли Вы человеком или представляете из себя автоматическую спам-рассылку.