Телефон: +7 (383)-202-16-86

Статья опубликована в рамках: Научного журнала «Студенческий» № 24(68)

Рубрика журнала: Химия

Скачать книгу(-и): скачать журнал часть 1, скачать журнал часть 2, скачать журнал часть 3

Библиографическое описание:
Макуца М.О., Трофимович А.В. ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТРУКТУРЫ СuIn7Se11 РЕНТГЕНОВСКИМ МЕТОДОМ // Студенческий: электрон. научн. журн. 2019. № 24(68). URL: https://sibac.info/journal/student/68/148069 (дата обращения: 24.08.2019).

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТРУКТУРЫ СuIn7Se11 РЕНТГЕНОВСКИМ МЕТОДОМ

Макуца Максим Олегович

магистрант кафедры ПИКС БГУИР,

Республика Беларусь, г. Минск

Трофимович Андрей Владимирович

магистрант кафедры ПИКС БГУИР,

Республика Беларусь, г. Минск

Для идентификации структур кристаллов соединения CuIn7S11 и индицирования снятых дифрактограмм использовались данные картотеки центра дифракционных данных (International Center for Diffraction Data Joint Сommittee on Powder Diffraction Standards, ICDDJCPDS). Постоянные решетки а и с для тетрагональной сингонии определялись из следующих соотношений:

 

 

(1)

(2)

 

где H, K, L – индексы Миллера, А = H2 + HK + K2, B=L2.

Расчета параметров кристаллической решетки соединений CuIn7Se11, производили в следующем порядке. На основании измерений угловых положений различных дифракционных линий по формуле Вульфа-Брэггов (1) определяли межплоскостные расстояния исследуемых плоскостей отражений. В случае тетрагональной сингонии параметры кристаллической решетки связаны с d следующим соотношением:

 

                                                        (3)

 

Далее методом Когена с использованием метода наименьших квадратов находили параметры элементарной ячейки а и с путем решения систем двух уравнений, составленных для различных комбинаций рефлексов с разными индексами Миллера. По ниже приведенным формулам были рассчитаны параметры решетки для соединений CuIn7Se11:

 

                                 (4)

 

,                              (5)

 

где Аi=h2+k2, Bi=l2.

По определенным параметрам  и  были рассчитаны осевое отношение c/a и величины тетрагонального искажения (d), а также позиционный параметр (s), характеризующий в соединениях  положение атома C по отношению к атомам A и B, и длины связей между атомами A-C(lACи B-C(lBC)  по следующим формулам:

;                                                                     (6)

 

          ;                                                       (7)

 

;                                                  (8)

 

;                                           (9)

Значения указанных величин для тройного соединения CuIn7Se11 приведены в таблице 1.

На представленной дифрактограмме индексы отражений, которые дают основание отнести структуру полученных кристаллов к гексагональной.  Параметры элементарной ячейки, рассчитанные методом наименьших квадратов по рефлексам, для которых 2q > 600 равны: a = 4.036± 0.002 Å, c =32. 702 ± 0.005 Å. Данные настоящей работы отличаются от результатов, полученных в работе, что можно объяснить различными методами выращивания кристаллов CuIn7Se11. Разрешение высокоугловых линий на дифрактограммах свидетельствует о равновесности выращенных монокристаллов.

Углы отражения (2q), относительные интенсивности рефлексов (I/I0), индексы Миллера плоскостей (HKL) для указанных СuIn7Se11 даны в таблице 2.2. Там же приведены рассчитанные значения указанных величин.

Данные рентгеновских исследований представлены на рисунке 1

 

Рисунок 2. Дифрактограмма кристаллов соединения СuIn7Se11

 

Таблица 2

Углы отражения (2q), относительные интенсивности рефлексов (I/I0), индексы Миллера плоскостей (HKL)

2q, град

I,%

HKL

d

2q, град

I,%

HKL

d

16.26

18

006

4.912

46.78

3

1.0.14

1.6565

18.96

2

007

3.8827

50.17

5

0.0.18

1.6566

21.72

100

008

3.6640

51.77

3

119

1.5853

24.49

1

009

3.1713

56.23

3

0.0.20

1.4063

27.26

28

0.0.10

3.0480

62.43

2

0.0.22

1.3728

27.73

4

104

2.6649

68.85

8

0.0.24

1.3727

32.86

16

0.0.12

2.4561

75.53

3

0.0.26

1.2598

38.53

3

0.0.14

2.3995

81.23

3

1.0.26

1.2601

42.04

5

1.0.12

2.2449

86.04

2

1.1.24

1.1211

44.28

4

0.0.16

2.0398

89.93

2

0.0.30

1.1215

44.87

2

110

1.9426

97.84

1

0.0.32

1.0568

 

Список литературы:

  1. Honle, W. Cryst. Res. Technol// W. Gonle, G. Kuhn, U. Boehnke // – 1998. – Vol. 23. – №10/11. – P. 1347. Vol. 384. – No. 1 – 2. –P.1000 – 1002.
  2. Wasim, S.M. Phys. Stat. Sol./ S.M. Wasim, C Rincon, G. Marin// – 2002. –Vol. 194. – №1. – P.244.
  3. Marin, G. Jpn. J. Appl. Phys./ G. Marin, R. Marguez, R. Guewara, S.M. Wasim // –2000. – Vol.39. – Suppl. 39-1 – P.44.

Оставить комментарий