МАГНИТОДИОДЫ И ИХ ПАРАМЕТРЫ

​MAGNETODIODES AND THEIR PARAMETERS

Nazar Pchelintsev

student, Department of Hardware and software complexes, Don State Technical University,

Russia, Rostov-on-Don

АННОТАЦИЯ

Состав структурных схем выбирается исходя из того, что в последнее время всё шире начинают применяться средства контрольно-измерительной техники.

ABSTRACT

The composition of the structural schemes is chosen based on the fact that recently the means of control and measuring equipment have been increasingly used.

Ключевые слова: магнитодиод, полупроводник, база.

Keywords: magnetodiode, semiconductor, base.

В основе магнитодиодного эффекта было предложено современное гальваномагнитное устройство ­- магнитодиод. Он представляет собой полупроводниковый прибор с p-n- переходом и невыпрямляющим контактом (антизапирающим), между ними находится область высокоомного полупроводника [1]. Разница их от привычных полупроводниковых диодов состоит в следующем: длина базы d в несколько раз больше длины диффузионного смещения носителей L, в то время как в обычных диодах d  <  L.

В «длинных диодах при прохождении электрического тока определяющими становятся процессы, позволяющие от рекомбинации и движения неравновесных носителей в базе и на поверхности.

В прямом направлении, когда уровень инжекции является высоким проводимость магнитодиода определяется инжектированным в базу неравновесным носителем. Когда магнитодиод помещается в поперечное магнитное поле, то произходит значимое увеличение сопротивления базы. Сопротивление увеличивается ещё и за счет увеличения роли поверхностной рекомбинации отклоняющихся и поверхности полупроводника носителей.

Аналогичную схему магнитодиода можно сконструировать в виде магниторезистора с включённым, последовательно, усилителем.

где      – усреднённый путь, проходящий носителем за время жизни в направлении внешнего электрического поля;

– коэффициент неравновесности высоких уровнях инжекции;

k – постоянная Больцмана;

L – длина диффузионного смещения.

В настоящее время для магнитодиодов используется в основном кремний. В нём ширина запрещённой зоны определяется значением  эВ, следовательно при комнатной температуре удельное сопротивление может быть порядка . Из этого можно получить достаточно высокие уровни инжекции при высоких значениях  определяется из условий следующих условий: концентрация неравновесных основных носителей по всей длине базы должна быть намного больше концентрации равновесных носителей заряда. Поэтому чем больше удельное сопротивление, тем больше значение могут быть использованы в магнитодиодах [3].

Список литературы:

1. Соловьев А.Н., Васильев П.В., Подколзина Л.А. Разработка и применение системы распределенных вычислений в решении обратных задач механики разрушений. Вестник Донского государственного технического университета 2017;17(4):89-98. https://doi.org/10.23947/1992-5980-2017-17-4-89-96
2. Калабеков, Б. А. Цифровые устройства и микропроцессорные системы / Б. А. Калабеков. - Москва : Горячая линия – Телеком, 2000. - 301 с.
3. Новиков, Ю. В. Основы цифровой схемотехники / Ю.В. Новиков. - Москва : Мир, 2001. - 182 с.