Телефон: 8-800-350-22-65
Напишите нам:
WhatsApp:
Telegram:
MAX:
Прием заявок круглосуточно
График работы офиса: с 9:00 до 21:00 Нск (с 5:00 до 19:00 Мск)

Статья опубликована в рамках: Научного журнала «Студенческий» № 18(356)

Рубрика журнала: Технические науки

Секция: Электротехника

Скачать книгу(-и): скачать журнал

Библиографическое описание:
Дорошенко А.А., Сивков П.А., Бармин И.Д. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР: УСТРОЙСТВО, ПРИНЦИП РАБОТЫ, СХЕМЫ И ПРИМЕНЕНИЕ // Студенческий: электрон. научн. журн. 2026. № 18(356). URL: https://sibac.info/journal/student/356/416527 (дата обращения: 14.06.2026).

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР: УСТРОЙСТВО, ПРИНЦИП РАБОТЫ, СХЕМЫ И ПРИМЕНЕНИЕ

Дорошенко Антон Алексеевич

студент, Институт кибербезопасности и информационных технологий, МИРЭА — Российский технологический университет,

РФ, г. Москва

Сивков Павел Александрович

студент, Институт кибербезопасности и информационных технологий, МИРЭА — Российский технологический университет,

РФ, г. Москва

Бармин Иван Денисович

студент, Институт кибербезопасности и информационных технологий, МИРЭА — Российский технологический университет,

РФ, г. Москва

Введение

В современной электронике биполярный транзистор занимает одну из ключевых ролей. Он используется практически во всех электронных устройствах — от компьютеров и телевизоров до радиопередатчиков, усилителей звука и систем автоматизации. Транзистор позволяет управлять электрическими токами и усиливать сигналы, выполняя роль электронного усилителя и ключа одновременно.

Название «биполярный» отражает основное отличие этого типа транзисторов: для работы используются оба типа носителей заряда — электроны и дырки. Это отличает их от полевых транзисторов, где ток формируется только одним видом носителей.

История создания транзистора

Биполярный транзистор был разработан в 1947 году в лаборатории Bell Labs американскими учёными Дж. Бардином, У. Браттейном и У. Шокли. До этого момента для усиления электрических сигналов использовались громоздкие и малонадежные вакуумные лампы. Изобретение транзистора стало настоящим прорывом, позволившим создавать более компактные, экономичные и надёжные электронные устройства.

В 1956 году авторы получили Нобелевскую премию по физике за создание этого прибора. С этого момента началось активное развитие микроэлектроники и современной вычислительной техники.

Конструкция и принцип работы

Биполярный транзистор состоит из трёх областей с различной проводимостью:

  1. Эмиттер (E) — область с высокой концентрацией легирующих примесей, которая подаёт носители заряда.
  2. База (B) — тонкая и слабо легированная область, через которую проходит поток носителей заряда.
  3. Коллектор (C) — область, собирающая носители, поступающие из базы, и передающая их в цепь.

База очень тонкая, что позволяет подавляющей части носителей заряда проходить к коллектору. Таким образом, небольшой ток в базе может управлять значительно большим током через коллектор.

Типы биполярных транзисторов

Существуют два основных типа:

1. NPN-транзистор

  • Эмиттер и коллектор имеют n-проводимость, база — p-проводимость.
  • Основными носителями заряда являются электроны.
  • Применяется чаще всего в современных схемах.

2. PNP-транзистор

  • Эмиттер и коллектор имеют p-проводимость, база — n-проводимость.
  • Основные носители заряда — дырки.
  • Используется реже, но находит применение в некоторых схемах питания и управления.

Принцип работы

Биполярный транзистор управляет током коллектора с помощью тока базы. Когда на базу подаётся небольшое напряжение, p-n переход эмиттер-база открывается, и через базу протекает малый ток. Этот ток вызывает значительно больший ток в коллекторе:

IC=β⋅IBI_C = \beta \cdot I_BIC=β⋅IB

где ICI_CIC — ток коллектора, IBI_BIB — ток базы, β\betaβ — коэффициент усиления транзистора.

Например, при коэффициенте усиления β=150\beta = 150β=150 и токе базы 2 мА, ток коллектора составит 300 мА. Это позволяет использовать транзистор как усилитель сигналов.

Режимы работы транзистора

1. Активный режим

  • Эмиттер включен в прямом направлении, коллектор — в обратном.
  • Транзистор усиливает сигнал, используется в аудио- и радиочастотных усилителях.

2. Режим насыщения

  • Оба перехода открыты.
  • Транзистор проводит ток полностью, работает как электронный ключ в положении «включено».

3. Режим отсечки

  • Ток базы отсутствует, транзистор закрыт.
  • Ток через коллектор минимален, транзистор выполняет функцию выключенного ключа.

Схемы включения

1. Общая база (ОБ)

  • Высокое усиление по напряжению.
  • Низкое входное сопротивление.
  • Используется на высоких частотах.

2. Общий эмиттер (ОЭ)

  • Наиболее распространённая схема.
  • Высокий коэффициент усиления по току и напряжению.
  • Применяется в большинстве усилителей.

3. Общий коллектор (ОК)

  • Также называется эмиттерный повторитель.
  • Высокое входное сопротивление и низкое выходное.
  • Коэффициент усиления по напряжению близок к единице.
  • Используется для согласования каскадов и стабилизации напряжения.

Основные характеристики

  • Коэффициент усиления (β\betaβ) — показывает, во сколько раз ток коллектора превышает ток базы.
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер — предел напряжения, который может выдержать транзистор.
  • Максимальный ток коллектора — допустимый ток без повреждения прибора.
  • Рассеиваемая мощность — количество тепла, которое транзистор может безопасно рассеивать.

Преимущества и недостатки

Преимущества:

  • Высокая скорость работы
  • Возможность значительного усиления сигнала
  • Простота конструкции и низкая стоимость
  • Надёжность и долговечность

Недостатки:

  • Чувствительность к перегреву
  • Необходимость подачи тока базы для управления
  • Более высокое энергопотребление по сравнению с полевыми транзисторами
  • Ограничения на работу на сверхвысоких частотах

Применение в реальных схемах

1. Усилители сигналов

  • Звуковые и радиочастотные усилители.
  • Телевизионные передатчики.

2. Электронные ключи

  • Цифровая техника, микроконтроллеры, реле.

3. Генераторы колебаний

  • Импульсные генераторы и радиочастотные источники.

4. Источники питания

  • Стабилизаторы напряжения и импульсные блоки питания.

Пример: если подключить светодиод через транзистор, малый ток базы откроет транзистор, позволяя большому току через коллектор зажечь светодиод. Такой принцип используется во многих схемах управления нагрузкой.

Таблица 1.

Сравнение с полевым транзистором

Параметр

Биполярный транзистор

Полевой транзистор

Управление

током базы

напряжением затвора

Входное сопротивление

низкое

очень высокое

Усиление сигнала

высокое

умеренное

Скорость работы

высокая

очень высокая

Энергопотребление

больше

меньше

 

Заключение

Биполярный транзистор — это основной элемент современной электроники, позволяющий управлять токами и усиливать сигналы. Несмотря на развитие полевых транзисторов, он остаётся востребованным благодаря надёжности, простоте применения и высокой эффективности.

Знание работы биполярного транзистора важно для изучения электроники, схемотехники и создания современных электронных устройств.

 

Список литературы:

  1. Титце У., Шенк К. «Полупроводниковая схемотехника».
  2. Савельев И. В. «Курс общей физики».
  3. Хоровиц П., Хилл У. «Искусство схемотехники».
  4. Жеребцов И. П. «Основы электроники».
  5. Бессонов Л. А. «Теоретические основы электротехники».