ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ В ДИОДАХ С ОМИЧЕСКИМ КОНТАКТОМ

INVESTIGATION OF EFFECTS IN DIODES WITH OHMIC CONTACT

Nazar Pchelintsev

student, Department of Hardware and software complexes,  Don State Technical University,

Russia, Rostov-on-Don,

АННОТАЦИЯ

Состав структурных схем выбирается исходя из того, что в последнее время всё шире начинают применяться средства контрольно-измерительной техники.

ABSTRACT

The composition of the structural schemes is chosen based on the fact that recently the means of control and measuring equipment have been increasingly used.

Ключевые слова: смещение, магнитное поле, проводимость.

Keywords: displacement, magnetic field, conductivity.

Длину диффузионного смещения носителей, наряду с другими методами, можно изменять и воздействием магнитного поля. Поскольку при высоких уровнях инжекции концентрации электронов и дырок равна нулю. При этом инжектированные из p-n-перехода носители будут двигаться под некоторым углом к направлению внешнего электрического поля. Этот угол называется углом Холла [1].

Магнитное поле приводит к закручиванию движущихся электронов и дырок. Их подвижность уменьшается, следовательно, уменьшается и длина диффузионного смещения. Одновременно удлиняются линии тока, т.е. эффективная толщина базы. Магнитное поле влияет не только на подвижность и направление линий тока, но и на время жизни носителей. Перечисленные явления приводят к сильному изменению неравновесной проводимости диода. В магнитном поле начальное изменение длины диффузионного смещения и эффективной толщины базы приводит к сильному изменению сопротивления базы и соответственно прямого вследствие резкого изменения заряда. Это и есть магнитодиодный эффект [2].

Магнитодиодный эффект может наблюдаться в любой полупроводниковой структуре, в которой создана положительная или отрицательная неравновесная проводимость. Проводимость считается положительной в том случае, когда концентрация носителей выше равновесной, отрицательной, когда она ниже равновесной. Отрицательная проводимость реализуется, например, при эксплуатации носителей p-n-переходом.

Следует отметить, что все эффекты, наблюдаемые в диодах с омическим контактом, может быть воспроизведены также и в диодах с антизапирающим контактом. Только в этом случае необходимо учесть, что замена идеально омического идеальным антипирающим эквивалентна уменьшению эффективной базы вдвое. Поэтому замена омического контакта на атизапирающий несущественно меняет свойства диодов с «длинной» базой [3].

Список литературы:

1. Соловьев А.Н., Васильев П.В., Подколзина Л.А. Разработка и применение системы распределенных вычислений в решении обратных задач механики разрушений. Вестник Донского государственного технического университета 2017;17(4):89-98. https://doi.org/10.23947/1992-5980-2017-17-4-89-96
2. Калабеков, Б. А. Цифровые устройства и микропроцессорные системы / Б. А. Калабеков. - Москва : Горячая линия – Телеком, 2000. - 301 с.
3. Новиков, Ю. В. Основы цифровой схемотехники / Ю.В. Новиков. - Москва : Мир, 2001. - 182 с.